楚天都市报9月2日讯（记者胡长幸）今天，紫光集团旗下长江存储在武汉光谷宣告，根据Xtacking架构的64层256Gb TLC 3D NAND闪存已开端量产。该产品作为我国首款64层3DNAND闪存，其量产将满意固态硬盘、嵌入式存储等干流商场使用需求，标志着光谷已成功走出了一条高端芯片规划制作的立异之路。
3D NAND即三维闪存技能，根据该技能的闪存芯片就像是立体停车场，在相同的“占地面积”之下可以包容更多倍数据量。Xtacking架构是长江存储自主研制的一种打破性3D闪存架构，它就像一个由很多根罗马柱支撑起的宫廷，可以在两片独立的晶圆上，别离加工外围电路和存储单元。当两片晶圆各自完工后，该技能只需一个处理过程，就可经过数十亿根笔直互联通道，将两片晶圆键合。比较传统三维闪存架构，该技能可带来更快的写入和读取传输速度、更高的存储密度和更短的产品上市周期。
长江存储联席首席技能官、技能研制中心高档副总裁程卫华表明，跟着5G、人工智能和超大规模数据中心年代的到来，闪存商场的需求将持续增长。64层3DNAND闪存产品量产后，长江存储还方案推出集成64层3D NAND闪存的固态硬盘等产品，为全球存储器商场健康开展注入新动力。
2016年12月，国家存储器基地在武汉光谷发动建造。它标志着我国集成电路存储芯片工业，在规模化开展上完成了“零”的打破。短短两年间，存储器基地一号芯片出产厂房封顶、国内首颗自主研制32层三维闪存芯片研制面世、芯片出产机台装置调试、首台光刻机进厂调试。环绕“一芯驱动”战略布局，一座芯片之城在光谷加快兴起。
