之前曾有音讯称，三星方案出资西安闪存芯片80亿美元，以促进NAND闪存芯片的出产，据悉该工厂每月可加工12万片晶圆，扩建后将开端每月加工13万片晶圆。
早在2017年的时分，该公司宣告，方案在未来三年内向其坐落西安的NAND闪存芯片工厂出资70亿美元，这笔出资是三星西安闪存芯片项目二期的第一阶段出资。
三星二期项目的总出资为150亿美元，估计于2021年下半年竣工。此前，该公司还向西安的一家检测和包装工厂出资了108亿美元，这笔出资是三星西安闪存芯片项目的一期出资。
现在，三星在三个当地出产3D NAND：韩国的华城、平泽和我国的西安。自2014年以来，该公司就一向在其坐落西安的工厂出产NAND芯片。最近，该公司在其坐落平泽的工厂增加了第二条出产线，估计将于下一年投产。
有剖析人士表明，三星为了冲击国产自主内存，正在加大出资，以确保满意的立异。本年9月，紫光集团旗下长江存储科技有限责任公司宣告，已开端量产根据Xtacking架构的64层256 Gb TLC 3D NAND闪存，以满意固态硬盘、嵌入式存储等干流商场使用需求。
封面新闻已取得本文转载授权，未经版权方授权，任何第三方不得转载。
修改 : 雷强
